对比图
型号 IPD90N06S3-06 STB80NF55-06-1 NP90N055VUG-E1-AY
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorN沟道55V - 0.005 ？ - 80A - TO- 220 / FP - I2PAK - D2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET™ II Power MOSFETTrans MOSFET P-CH 55V 90A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 DPAK-252 TO-262-3 TO-252
安装方式 Surface Mount Through Hole -
上升时间 60 ns 155 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 7770pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
下降时间 73 ns 65 ns 9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 136000 mW 300W (Tc) 1200 mW
通道数 - 1 -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 - 300 W -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -
连续漏极电流(Ids) 90A 80A -
封装 DPAK-252 TO-262-3 TO-252
长度 - 10 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 8.95 mm -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -