AO6409和SI3433CDV-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO6409 SI3433CDV-T1-GE3 FDC604P

描述 P沟 -20V -5.5AP通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC604P  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mV

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP-6 TSOP-6 TSOT-23-6

针脚数 - 6 6

漏源极电阻 - 0.031 Ω 33 mΩ

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 1.6 W 1.6 W

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 5.5A -5.20 A -5.50 A

上升时间 9 ns 22 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1450pF @10V(Vds) 1300pF @10V(Vds) 1926pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 3.3 W 800 mW

下降时间 29 ns 20 ns 45 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta) 3.3 W 1.6 W

额定功率 1.3 W - -

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -5.50 A

输入电容 - - 1.93 nF

栅电荷 - - 19.0 nC

漏源击穿电压 - - -20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

长度 - 3.1 mm 3 mm

宽度 - 1.7 mm 1.7 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 TSOP-6 TSOP-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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