对比图
型号 FDMA530PZ IRFHS9301TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA530PZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 6.8A, MICROFET 2X2P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 MicroFET-6 PQFN-6
额定功率 - 2.1 W
通道数 - 1
针脚数 6 8
漏源极电阻 0.03 Ω 0.03 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2.4 W 2.1 W
输入电容 1.07 nF 580 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.80 A 6A
上升时间 21 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 1070pF @15V(Vds) 580pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2.1 W
下降时间 31 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.4W (Ta) 2.1 W
额定电压(DC) -30.0 V -
额定电流 -6.80 A -
栅电荷 24.0 nC -
长度 2 mm 2.1 mm
宽度 2 mm 2.1 mm
高度 0.75 mm 0.95 mm
封装 MicroFET-6 PQFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 EAR99 -
香港进出口证 NLR -