IRF7105PBF和IRF9952

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7105PBF IRF9952 IRF7317TRPBF

描述 INFINEON  IRF7105PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 25 V, 100 mohm, 10 V, 3 VSOIC N+P 30V 3.5A/2.3AINFINEON  IRF7317TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2 W - 2 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.1 Ω - 0.023 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N+P N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 3 V - 700 mV

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A/2.3A 3.5A/2.3A 6.6A/5.3A

正向电压(Max) - - 1 V

输入电容(Ciss) 330pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds) 900pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW 2 W

上升时间 - 8.8 ns -

下降时间 - 6.9 ns -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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