对比图
型号 BSB028N06NN3G BSB028N06NN3GXUMA1 BSC028N06NSATMA1
描述 60V,2.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFETINFINEON BSB028N06NN3GXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 VINFINEON BSC028N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7 8
封装 MG-WDSON-2 WDSON-2-3 PG-TDSON-8
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
上升时间 9 ns 9 ns 38 ns
输入电容(Ciss) 8800pF @30V(Vds) 8800pF @30V(Vds) 2700pF @30V(Vds)
下降时间 6 ns 6 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 78 W 2200 mW 2.5W (Ta), 83W (Tc)
额定功率 - 78 W 83 W
针脚数 - 3 8
漏源极电阻 - 0.0022 Ω 0.0025 Ω
耗散功率 - 78 W 83 W
阈值电压 - 3 V 2.8 V
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 22A 100A
通道数 - - 1
长度 6.35 mm 6.35 mm 6.1 mm
宽度 5.05 mm 5.05 mm 5.15 mm
高度 0.53 mm 0.53 mm 1.1 mm
封装 MG-WDSON-2 WDSON-2-3 PG-TDSON-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17