MUN5231T1G和PDTC123EU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5231T1G PDTC123EU MUN5232DW1T1G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorNXP  PDTC123EU  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFEON SEMICONDUCTOR  MUN5232DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 6

封装 SC-70-3 SOT-323 SC-70-6

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

额定功率 - - 187 mW

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 NPN NPN N-Channel, NPN

耗散功率 0.31 W 200 mW 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 30 15 @5mA, 10V

额定功率(Max) 202 mW - 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW - 385 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 30 -

长度 - 2.2 mm 2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.25 mm

高度 - 1 mm 0.9 mm

封装 SC-70-3 SOT-323 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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