FQP7N10和STD15NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP7N10 STD15NF10T4 SPP04N80C3

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 100 V 100 V 800 V

额定电流 7.30 A 23.0 A 4.00 A

漏源极电阻 350 mΩ 0.065 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 40W (Tc) 70 W 63 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 800 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 800 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 23.0 A 4.00 A

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) 40W (Tc) 70W (Tc) 63W (Tc)

额定功率 - - 63 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3 V 3 V

上升时间 - 45 ns 15 ns

额定功率(Max) - 70 W 63 W

下降时间 - 17 ns 12 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3

长度 - 6.6 mm 10 mm

宽度 - 6.2 mm 4.4 mm

高度 - 2.4 mm 15.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司