对比图
型号 CY7C1415BV18-250BZC CY7C1415KV18-250BZXC CY7C1415BV18-250BZXC
描述 36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst ArchitectureCY7C1415KV18 系列 36M (1M x 36) QDR® II SRAM 四字突发架构36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 36 36 36
存取时间 0.45 ns - -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V - -
电源电压(Min) 1.7 V - -
供电电流 - 640 mA -
高度 0.89 mm - 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -