对比图
型号 BMX FDMS3006SDC CSD17556Q5B
描述 TRANSISTOR 32 A, 30 V, 0.0018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN AND LEAD FREE, GREENFET PACKAGE-3, FET General Purpose PowerPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B
数据手册 ---
制造商 Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 - Power-56-8 VSON-Clip-8
通道数 - 2 1
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 3.3 W 3.1 W
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 34A 100A
输入电容(Ciss) - 5725pF @15V(Vds) 7020pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 3.3 W 3.1 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.3W (Ta), 89W (Tc) 3.1W (Ta), 191W (Tc)
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.0012 Ω
阈值电压 - - 1.4 V
漏源击穿电压 - - 30 V
上升时间 - - 26 ns
下降时间 - - 12 ns
长度 - 5.1 mm 6.1 mm
宽度 - 5.85 mm 5.1 mm
高度 - 1.05 mm 1.05 mm
封装 - Power-56-8 VSON-Clip-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Active 正在供货
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99