对比图
型号 IPU60R1K5CEAKMA1 IPU60R1K5CEAKMA2 IPU60R1K5CEBKMA1
描述 N-CH 600V 5AN沟道 600V 3.1ATO-251 N-CH 800V 3.1A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 5A 5A 3.1A
上升时间 7 ns 7 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 200pF @100V(Vds) 200pF @100V(Vds) 200pF @100V(Vds)
下降时间 20 ns 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 49000 mW 49W (Tc) 28W (Tc)
耗散功率 - 49W (Tc) 28W (Tc)
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Last Time Buy Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free