IXTA8N50P和STB9NK50ZT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA8N50P STB9NK50ZT4 IXTA8PN50P

描述 IXTA8N50P 管装STMICROELECTRONICS  STB9NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VMOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 8.00 A 7.20 A 8.00 A

耗散功率 150 W 110 W -

栅电荷 20.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.20 A 8.00 A

上升时间 28 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 1050 pF 910pF @25V(Vds) -

下降时间 23 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.72 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) - 110 W -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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