MMBT200和MSB1218A-RT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT200 MSB1218A-RT1G

描述 MMBT200系列 45 V CE击穿 0.5 A PNP 通用 放大器 - SOT-23PNP硅通用晶体管放大器 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SC-70-3

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V

额定电流 -500 mA -100 mA

极性 - PNP

耗散功率 0.35 W 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 5V 210 @2mA, 10V

额定功率(Max) 350 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 150 mW

频率 250 MHz -

针脚数 - -

直流电流增益(hFE) - -

封装 SOT-23-3 SC-70-3

长度 2.92 mm -

宽度 1.3 mm -

高度 0.93 mm -

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司