对比图
型号 FQB19N20 IRF640NSTRLPBF BUZ31
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETINFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
封装 D2PAK TO-263-3 TO-220-3
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 19.4A 18A 14.5 A
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 14.5 A
漏源极电阻 - 0.15 Ω 200 mΩ
耗散功率 - 150 W 95 W
阈值电压 - 4 V 3 V
输入电容 - 1160 pF 1.12 nF
上升时间 - 19 ns 50 ns
输入电容(Ciss) - 1160pF @25V(Vds) 1120pF @25V(Vds)
下降时间 - 5.5 ns 60 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 95W (Tc)
额定功率 - 150 W -
针脚数 - 3 -
额定功率(Max) - 150 W -
封装 D2PAK TO-263-3 TO-220-3
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -