对比图
描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorPNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorNXP PUMB11,115 双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-363 SOT-323 SOT-363-6
引脚数 - - 6
额定功率 - 0.25 W -
极性 PNP PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - 30 30 @5mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 30 -
针脚数 - - 6
耗散功率 - - 200 mW
额定功率(Max) - - 300 mW
直流电流增益(hFE) - - 30
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
长度 - 2.00 mm -
宽度 - 1.25 mm -
高度 - 0.90 mm 1 mm
封装 SOT-363 SOT-323 SOT-363-6
产品生命周期 End of Life End of Life Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
香港进出口证 - - NLR