BD239B-S和BD239BTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD239B-S BD239BTU BD239B

描述 TO-220 NPN 80V 2ANPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Fairchild (飞兆/仙童) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 2.00 A -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 30 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 2A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 15 @1A, 4V -

额定功率(Max) 2 W 30 W -

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 30 W -

长度 - 9.9 mm -

宽度 - 4.5 mm -

高度 - 15.7 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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