对比图
型号 IRFS250B SPP21N10 RSD200N10TL
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorCPT N-CH 100V 20A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Surface Mount
封装 TO-3 TO-220-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 21.0 A -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 90 W 20W (Tc)
漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 21.3A 21A 20A
上升时间 - 56 ns 61 ns
输入电容(Ciss) - 865pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 20 W
下降时间 - 23 ns 193 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 20W (Tc)
长度 - 10 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 15.65 mm -
封装 TO-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free