BFR280和MMBTH10-4LT1G

对比图

型号 BFR280 MMBTH10-4LT1G BFR183

描述 NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorNPN 25 V 225 mW 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

频率 - 650 MHz -

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 4.00 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 25 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 120 @4mA, 10V -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 120 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -