DTC114YET1G和DTC114YETL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC114YET1G DTC114YETL DTC114YET1

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ROHM  DTC114YETL  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-416DTC114YET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k sot-523 marking/标记 BD

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-75-3 SC-75-3 SC-75-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 70.0 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.3 W 0.15 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - 80

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

直流电流增益(hFE) - 68 -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW -

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 1.65 mm - 1.6 mm

宽度 0.9 mm - 0.8 mm

高度 0.8 mm - 0.75 mm

封装 SC-75-3 SC-75-3 SC-75-3

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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