FDU8874和STU85N3LH5

对比图

型号 FDU8874 STU85N3LH5 FDU6688

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 116A N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116ASTMICROELECTRONICS  STU85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VMOSFET N-CH 30V 84A I-PAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 116 A - -

漏源极电阻 5.10 mΩ 0.0046 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 110 W 70 W 83W (Ta)

输入电容 2.99 nF - -

栅电荷 54.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 116 A 40.0 A -

上升时间 96.0 ns 14 ns -

输入电容(Ciss) 2990pF @15V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 3845pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 110W (Tc) 70W (Tc) 83W (Ta)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2.5 V -

额定功率(Max) - 70 W -

下降时间 - 10.8 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 2.4 mm -

高度 - 6.9 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -