BCW66HE6327和BCW66HTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW66HE6327 BCW66HTA BCW66H

描述 SOT-23 NPN 45V 0.8ABCW66HTA 编带NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

频率 - 100 MHz -

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 800 mA 800 mA -

额定功率 - 0.3333333333333333 W -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 330 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A -

最小电流放大倍数(hFE) - 250 @100mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 180 @10mA, 1V -

额定功率(Max) - 330 mW -

直流电流增益(hFE) - 350 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 330 mW -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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