对比图
型号 IRF7416PBF IRF7416QPBF FDS9926A
描述 INFINEON IRF7416PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 VSOIC P-CH 30V 10AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
通道数 - 1 2
漏源极电阻 0.02 Ω 35 mΩ 0.025 Ω
极性 P-CH P-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2 W
产品系列 - IRF7416Q -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 - 30 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 10A 10.0 A 6.50 A
上升时间 49 ns 49 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 650pF @10V(Vds)
下降时间 60 ns 60 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2000 mW
额定电压(DC) - - 20.0 V
额定电流 - - 6.50 A
针脚数 8 - 8
阈值电压 1 V - 1 V
输入电容 - - 650 pF
栅电荷 - - 6.20 nC
栅源击穿电压 - - ±10.0 V
额定功率(Max) 2.5 W - 900 mW
额定功率 2.5 W - -
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.75 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR