对比图
型号 IRF7832PBF IRF7832TR IRF7832TRPBF
描述 INFINEON IRF7832PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 VSOIC N-CH 30V 20AINFINEON IRF7832TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 2.5 W - 2.5 W
通道数 1 - -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.004 Ω - 0.0031 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5 W
阈值电压 2.32 V - 2.32 V
输入电容 4310 pF - 4310 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20A 20.0 A 20A
上升时间 6.7 ns 12.3 ns 6.7 ns
输入电容(Ciss) 4310pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W
下降时间 13 ns - 13 ns
工作温度(Max) 155 ℃ - 155 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 20.0 A -
产品系列 - IRF7832 -
正向电压(Max) - - 1 V
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17