FQB19N10TM和IRFW530ATM

对比图

型号 FQB19N10TM IRFW530ATM PHB18NQ10T,118

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 100V 14AMOSFET N-CH 100V 18A SOT-404

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

耗散功率 3.75 W 3.80 W 79 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 150 ns - 36 ns

输入电容(Ciss) 780pF @25V(Vds) - 633pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 79 W

下降时间 65 ns - 12 ns

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 75W (Tc) - 79W (Tc)

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 19.0 A 14.0 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 100 mΩ 110 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 19.0 A 14.0 A -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -