ICTE10C-E3/54和1N6383-E3/51

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE10C-E3/54 1N6383-E3/51 ICTE10C-E3/73

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 10V BidirectDiode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkDiode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 11.7 V 11.7 V 11.7 V

工作电压 10 V - -

击穿电压 11.7 V - -

钳位电压 14.5 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

长度 9.5 mm - -

高度 5.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

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