对比图
型号 FDC6321C FDC6333C FDC6321C_NL
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6321C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 460 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6333C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 VDual N & P Channel, Digital FET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 6 6 -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SuperSOT
额定电流 680 mA 2.50 A -
通道数 - 2 -
针脚数 6 6 -
漏源极电阻 0.33 Ω 0.095 Ω -
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N+P
耗散功率 900 mW 960 mW -
阈值电压 800 mV 1.8 V -
输入电容 63.0 pF 185 pF -
栅电荷 1.10 nC 4.10 nC -
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 25 V
漏源击穿电压 ±25.0 V 30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 680 mA, 460 mA 2.50 A, 2.00 A 0.68A/0.46A
上升时间 9.00 ns 13.0 ns -
输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 282pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 700 mW 700 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 0.9 W 0.96 W -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
长度 3 mm 3 mm -
宽度 1.7 mm 1.7 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SuperSOT
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99