对比图
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) - 55.0 V
额定电流 - 80.0 A
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0065 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 - 300 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 250 V 55 V
漏源击穿电压 - 55.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.1A 80.0 A
上升时间 - 155 ns
输入电容(Ciss) - 4400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W
下降时间 - 65 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc)
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.15 mm
封装 TO-220 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC