对比图
型号 APT20M45BVFRG IXTH50N20 STW40NF20
描述 TO-247 N-CH 200V 56AIXYS SEMICONDUCTOR IXTH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 56.0 A 50.0 A 40.0 A
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 160 W
输入电容 4.86 nF 4.60 nF 2.50 nF
栅电荷 195 nC 220 nC 75.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A 50.0 A 25.0 A, 40.0 A
上升时间 14 ns 15 ns 44 ns
输入电容(Ciss) 4860pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W - 160 W
下降时间 7 ns 16 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 160W (Tc)
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.038 Ω
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源击穿电压 - - 200 V
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - - 15.75 mm
宽度 - - 5.15 mm
高度 - - 20.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -