IRF7425PBF和IRF7425TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7425PBF IRF7425TRPBF FDS9431A

描述 INFINEON  IRF7425PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 15 A, -20 V, 8.2 mohm, 4.5 V, 1.2 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7425TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -15A, -20V, 8-SOICFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9431A  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0082 Ω 0.0082 Ω 130 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7425 IRF7425 -

阈值电压 1.2 V 1.2 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -15.0 A -15.0 A -3.50 A

输入电容(Ciss) 7980pF @15V(Vds) 7980pF @15V(Vds) 405pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -3.50 A

通道数 - - 1

输入电容 - - 405 pF

栅电荷 - - 6.00 nC

漏源击穿电压 - - 20 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

上升时间 20 ns - 20 ns

下降时间 160 ns - 21 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

额定功率 2.5 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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