8668和ECH8668-TL-H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 8668 ECH8668-TL-H

描述 Power Field-Effect TransistorN/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 --

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

封装 - SMD-8

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.013 Ω

极性 - N+P

耗散功率 - 1.5 W

阈值电压 - 1.3 V

漏源极电压(Vds) - 20 V

连续漏极电流(Ids) - 7.5A/5A

输入电容(Ciss) - 1060pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 1.5 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.3 W

长度 - 2.9 mm

宽度 - 2.3 mm

高度 - 0.9 mm

封装 - SMD-8

材质 - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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