BFG541和BFG541,115

对比图

型号 BFG541 BFG541,115 BFG541T/R

描述 NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistorNXP### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsTRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP RF Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SC-73 TO-261-4 SC-73

频率 - 9000 MHz -

极性 - NPN -

耗散功率 - 650 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

增益 - 15dB ~ 9dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @40mA, 8V -

额定功率(Max) - 650 mW -

直流电流增益(hFE) - 120 -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 650 mW -

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

封装 SC-73 TO-261-4 SC-73

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -