对比图
型号 FDB8445 FDB8445_F085 BUK764R0-55B,118
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8445 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 0.0068Ω, 70A, TO-263AB-3PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。D2PAK N-CH 55V 193A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 70.0 A - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 6.8 mΩ - 0.0034 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 92 W 92 W 300 W
阈值电压 2.5 V - 3 V
输入电容 3.80 nF - -
栅电荷 62.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 55 V
漏源击穿电压 40 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 70.0 A 70A 75.0 A
上升时间 19 ns - 51 ns
输入电容(Ciss) 3805pF @25V(Vds) 3805pF @25V(Vds) 6776pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 92 W 92 W 300 W
下降时间 16 ns - 41 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 92W (Tc) 92W (Tc) 300W (Tc)
长度 10.97 mm 10.67 mm -
宽度 9.65 mm 9.65 mm -
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.5 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -