对比图
描述 MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFNN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 VQFN-8 PowerVDFN-8
额定功率 3.6 W -
漏源极电阻 3.8 mΩ 0.0038 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 46 W 60 W
产品系列 IRFH5304 -
阈值电压 2.35 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 79.0 A 90A
输入电容(Ciss) 2360pF @10V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.6 W 60 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1
上升时间 - 30 ns
下降时间 - 12 ns
耗散功率(Max) - 60W (Tc)
封装 VQFN-8 PowerVDFN-8
长度 - 5 mm
宽度 - 6 mm
高度 - 0.78 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17