STP20NF06L和STP55NF06

对比图

型号 STP20NF06L STP55NF06 STP20NE06L

描述 STMICROELECTRONICS  STP20NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 60 mohm, 10 V, 3 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN - CHANNEL 60V - 0.06欧姆 - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 20.0 A 50.0 A 20.0 A

额定功率 - 110 W 70 W

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.06 Ω 0.015 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 60 W 30 W 70 W

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±18.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 50.0 A 20.0 A

上升时间 30 ns 50 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W 110 W 70 W

下降时间 6 ns 15 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 110W (Tc) 70W (Tc)

输入电容 400 pF - -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 15.75 mm 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -