BAW56LT1G和BAW56T,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAW56LT1G BAW56T,115 BAW56LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAW56LT1G..  二极管 小信号, 双共阳极, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mANXP  BAW56T,115  二极管 小信号, 双共阳极, 90 V, 75 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 AON SEMICONDUCTOR  BAW56LT3G  二极管 小信号, AEC-Q101, 双共阳极, 70 V, 200 mA, 1.25 kV, 6 ns, 4 A 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-416 SOT-23-3

额定电压(DC) 70.0 V - 70.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

电容 2.00 pF - -

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

负载电流 0.2 A - -

针脚数 3 3 3

正向电压 1.25 V 1.25V @150mA 1.25 V

耗散功率 300 mW - 225 mW

反向恢复时间 6 ns 4 ns 6 ns

正向电流 200 mA 75 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA 4 A 4 A

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA 215 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW

工作结温 - 150℃ (Max) -

长度 2.9 mm 1.8 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 0.9 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 0.85 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-416 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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