对比图
型号 BLF177 BLF177,112 SD2931-10
描述 NXP BLF177 晶体管, 射频FET, 125 V, 16 A, 220 W, 1 MHz, 108 MHzTrans RF MOSFET N-CH 125V 16A射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管晶体管MOS管
安装方式 Flange Screw Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 - SOT-121 M-174
频率 - 108 MHz 175 MHz
额定电压(DC) 125 V - 125 V
额定电流 16.0 A 16 A 20 A
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 220 W - 389000 mW
输入电容 - - 480 pF
漏源极电压(Vds) 125 V - 125 V
漏源击穿电压 125V (min) - 125 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A - 20.0 A
输出功率 - 150 W 150 W
增益 19.0 dB 19 dB 15 dB
测试电流 - - 250 mA
输入电容(Ciss) - - 480pF @50V(Vds)
输出功率(Max) - - 150 W
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 389000 mW
额定电压 - - 125 V
电源电压(DC) 50.0 V - -
针脚数 4 - -
阈值电压 - 4.5 V -
封装 - SOT-121 M-174
工作温度 - - -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99