对比图
型号 BUK951R9-40E,127 BUK961R7-40E,118 IPB015N04LGATMA1
描述 TO-220AB N-CH 40V 120ATrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RIPB015N04L 系列 40 V 1.5 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管 - PG-TO-263-3
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - - 3
耗散功率 349W (Tc) 324W (Tc) 250 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
输入电容(Ciss) 16400pF @25V(Vds) 15010pF @25V(Vds) 21000pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 349W (Tc) 324W (Tc) 250 W
漏源极电阻 - - 0.0012 Ω
极性 N-CH - N-Channel
阈值电压 - - 4.5 V
连续漏极电流(Ids) 120A - 120A
上升时间 - - 13 ns
下降时间 - - 21 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
额定功率(Max) 349 W - -
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.31 mm
宽度 - - 9.45 mm
高度 - - 4.572 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC