对比图
型号 STB55NF03L STB55NF03LT4
描述 N沟道30V - 0.01欧姆 - 55A D2PAK的STripFET ] POWER MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A D2PAK STripFET] POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS STB55NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 D2PAK TO-263-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 10 mΩ
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 - 80 W
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 55A 27.5 A
上升时间 - 400 ns
输入电容(Ciss) - 1265pF @25V(Vds)
下降时间 - 50 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -60 ℃
耗散功率(Max) - 80000 mW
封装 D2PAK TO-263-3
工作温度 - -60℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC