对比图
型号 FQB6N70 STB9NK70ZT4 FQB6N70TM_NL
描述 700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFETN沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET700V N-Channel QFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK
额定电压(DC) - 700 V -
额定电流 - 7.50 A -
漏源极电阻 - 1.20 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 - 115W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 700 V 700 V 700 V
漏源击穿电压 - 700 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.2A 7.50 A 6.2A
输入电容(Ciss) - 1370pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 115 W -
耗散功率(Max) - 115W (Tc) -
封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free -