FDS6064N3和FDS6162N3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6064N3 FDS6162N3

描述 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V

额定电流 23.0 A 21.0 A

漏源极电阻 3.40 mΩ 45.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 3W (Ta) 3 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 21.0 A

上升时间 22.0 ns 25.0 ns

输入电容(Ciss) 7191pF @10V(Vds) 5521pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 3 W

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta)

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99

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