对比图
型号 FDC658P IRF5800TRPBF FDC654P
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 VTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 6Pin TSOP T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC654P 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -1.9 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6
额定功率 - 2 W -
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.6 W 2 W 1.6 W
产品系列 - IRF5800 -
漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -4.00 A -4.00 A 3.60 A
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -4.00 A - -3.60 A
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 0.041 Ω - 0.063 Ω
输入电容 750 pF - 298 pF
栅电荷 8.00 nC - 6.20 nC
漏源击穿电压 -30.0 V - -30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
上升时间 14 ns - 13 ns
输入电容(Ciss) 750pF @15V(Vds) - 298pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW - 800 mW
下降时间 16 ns - 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) - 1.6W (Ta)
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6
长度 3 mm - 3 mm
宽度 1.7 mm - 1.7 mm
高度 1 mm - 1 mm
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - EAR99