对比图
型号 SPP17N80C3 STP15N80K5 SPA17N80C3
描述 INFINEON SPP17N80C3. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V - 800 V
额定电流 17.0 A - 17.0 A
额定功率 208 W - 42 W
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.3 Ω 0.25 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 227 W 190 W 42 W
阈值电压 3 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 17A 14A 17.0 A
上升时间 15 ns 17.6 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2320pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 2320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 208 W 190 W 42 W
下降时间 6 ns 10 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 208W (Tc) 190W (Tc) 42W (Tc)
漏源击穿电压 - - 800 V
工作结温(Max) - - 150 ℃
长度 10.36 mm 10.4 mm 10.65 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.85 mm
高度 9.45 mm 15.75 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -