对比图
型号 STB75NF75T4 BUK9609-75A,118 PSMN017-80BS,118
描述 N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFETD2PAK N-CH 75V 75AD2PAK N-CH 80V 50A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 300 W 230 W 103 W
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 80A 75A 50A
上升时间 100 ns 185 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 8840pF @25V(Vds) 1573pF @40V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 230 W 103 W
下降时间 30 ns 226 ns 8 ns
耗散功率(Max) 300W (Tc) - 103W (Tc)
通道数 1 - -
阈值电压 3 V - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.4 mm - -
宽度 9.35 mm - -
高度 4.6 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free