LM258N和LM358AN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM258N LM358AN LM358N

描述 STMICROELECTRONICS  LM258N  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚低功耗双运算功率放大器 Low power dual operational amplifiSTMICROELECTRONICS  LM358N  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 8 - 8

封装 DIP-8 DIP DIP-8

供电电流 700 µA - 700 µA

电路数 2 - 2

通道数 2 - 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70 dB - 70 dB

带宽 1.1 MHz - 1.1 MHz

转换速率 600 mV/μs - 600 mV/μs

增益频宽积 1.1 MHz - 1.1 MHz

输入补偿电压 1 mV - 2 mV

输入偏置电流 20 nA - 20 nA

工作温度(Max) 105 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

增益带宽 1.1 MHz - 1.1 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB - -

电源电压 3V ~ 30V - 3V ~ 30V

电源电压(DC) - - 5.00 V

工作电压 - - 3V ~ 32V

耗散功率 - - 500 mW

电源电压(Max) - - 30 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 DIP-8 DIP DIP-8

长度 - - 9.27 mm

宽度 - - 6.35 mm

高度 - - 3.3 mm

工作温度 -40℃ ~ 105℃ - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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