对比图
描述 Trans Rf Bipo 600mW 300mA M115Trans RF BJT NPN 20V 0.2A 4Pin Case M-115A类， AB类微波功率型硅NPN晶体管0.7 W， 960至1215兆赫， 18V Class A, Class AB Microwave Power Silicon NPN Transistor 0.7 W, 960-1215 MHz, 18V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount - Chassis
引脚数 - - 4
封装 M115 M-115 332A-03
耗散功率 - 7 W 7 W
击穿电压(集电极-发射极) 20 V - 20 V
增益 10.8 dB - 10.7dB ~ 12dB
最小电流放大倍数(hFE) 15 @100mA, 5V - 10 @100mA, 5V
额定功率(Max) 600 mW - 0.7 W
输出功率 - 0.2 W -
封装 M115 M-115 332A-03
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Bulk - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 200℃ (TJ) - -