FQB9N50CFTM_WS和FQB9N50CTM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB9N50CFTM_WS FQB9N50CTM FQB9N50CFTM

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB9N50CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.65 Ω 700 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 173W (Tc) 135 W 173W (Tc)

输入电容 - - 1.03 nF

栅电荷 - - 35.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9A 9.00 A 9.00 A

输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 135 W 173 W

耗散功率(Max) 173W (Tc) 135W (Tc) 173W (Tc)

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 9.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

上升时间 - 65 ns -

下降时间 - 64 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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