SI2323DS-T1-E3和PMV65XP,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2323DS-T1-E3 PMV65XP,215 PMV65XP@215

描述 P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFETNXP  PMV65XP,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mVTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3Pin TO-236AB T/R

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

额定功率 1.25 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.039 Ω 0.058 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.25 W 833 mW 0.833 W

阈值电压 1 V - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -20.0 V

漏源击穿电压 -20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) -4.70 A -3.90 A -3.90 A

上升时间 43 ns 18 ns -

正向电压(Max) 1.2 V - -

输入电容(Ciss) 1020pF @10V(Vds) 744pF @20V(Vds) -

额定功率(Max) 750 mW 1.92 W -

下降时间 48 ns 68 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

耗散功率(Max) 1250 mW 480mW (Ta) -

通道数 - 1 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -

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