APT10086BVRG和STW13NK100Z

对比图

型号 APT10086BVRG STW13NK100Z APT10086BVR

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 13A 3Pin(3+Tab) TO-247STMICROELECTRONICS  STW13NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 VPOWER MOS V 1000V 13A 0.86Ω

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Power Technology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-247 TO-247-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 13.0 A 13.0 A -

耗散功率 370 W 350 W -

输入电容 4.44 nF - -

栅电荷 275 nC - -

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1 kV -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 700 mΩ -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源击穿电压 - 1000 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 35 ns -

输入电容(Ciss) - 6000pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 350 W -

下降时间 - 45 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 350W (Tc) -

封装 TO-247 TO-247-3 -

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -