BDW93B-S和MJE350

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDW93B-S MJE350 BDW93C

描述 TO-220 NPN 80V 12A20W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0.5A Ic, 30 - 240 hFE. Complementary MJE340STMICROELECTRONICS  BDW93C  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 12 A, 20000 hFE

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Continental Device ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - TO-220-3

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 100 V

集电极最大允许电流 12A - -

最小电流放大倍数(hFE) 750 @5A, 3V - 750 @5A, 3V

额定功率(Max) 2 W - 80 W

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 12.0 A

针脚数 - - 3

耗散功率 - - 80 W

直流电流增益(hFE) - - 20000

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 80000 mW

封装 TO-220-3 - TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 9.15 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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