IRF6617和IRF6617TRPBF的区别_IRF6617代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF6617 IRF6617TRPBF IRF6617PBF

描述 Direct-FET N-CH 30V 14AINFINEON IRF6617TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.35 V 新Direct-FET N-CH 30V 14A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 7 7 -

封装 Direct-FET DirectFET-3 Direct-FET

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14A 14A 14A

上升时间 34 ns 34 ns -

输入电容(Ciss) 1300pF @15V(Vds) 1300pF @15V(Vds) -

下降时间 3.7 ns 3.7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 2100 mW 2.1W (Ta), 42W (Tc) -

额定功率 - 42 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 7 -

漏源极电阻 - 0.0062 Ω -

耗散功率 - 42 W -

阈值电压 - 2.35 V -

输入电容 - 1300 pF -

额定功率(Max) - 2.1 W -

封装 Direct-FET DirectFET-3 Direct-FET

长度 - 3.95 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -