BFN19和BST16

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFN19 BST16 BFN19E6327HTSA1

描述 PNP硅高压晶体管 PNP Silicon High-Voltage TransistorsBST16 PNP三极管 -350V -200mA/-0.2A 15MHz 30~120 -750mV/-0.75V SOT-89/SC-62 marking/标记 BT2 开关/放大SOT-89 PNP 300V 0.2A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 4

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89

长度 4.50 mm - -

宽度 2.5 mm - -

高度 1.50 mm - -

产品生命周期 End of Life Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

额定功率 1 W - -

频率 - - 100 MHz

极性 - - PNP

耗散功率 - - 1 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 300 V

集电极最大允许电流 - - 0.2A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

材质 - - Silicon

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